IRFH5210TRPBF

1. নিম্ন পরিবাহী ক্ষতি
2. ভাল তাপ অপচয় সক্ষম করে
3. বর্ধিত নির্ভরযোগ্যতা
4. বর্ধিত শক্তি ঘনত্ব
5. মাল্টি-বিক্রেতা সামঞ্জস্য
6. সহজ উত্পাদন
7. পরিবেশগতভাবে বন্ধুত্বপূর্ণ
8. বর্ধিত নির্ভরযোগ্যতা

প্রস্তুতকারকের পার্ট নম্বর:IRFH9310TRPBF
প্রস্তুতকারক / ব্র্যান্ড ইন্টারন্যাশনাল রেকটিফায়ার (ইনফাইনন টেকনোলজিস)
বর্ণনার অংশ:MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
লিড ফ্রি স্ট্যাটাস / RoHS স্ট্যাটাস: লিড ফ্রি / RoHS কমপ্লায়েন্ট
স্টক অবস্থা: নতুন আসল, 12000 পিসি স্টক উপলব্ধ।
জাহাজ থেকে: হংকং
চালানের উপায়: ডিএইচএল/ফেডেক্স/টিএনটি/ইউপিএস
পণ্য বৈশিষ্ট্য বৈশিষ্ট্য মান বৈশিষ্ট্য নির্বাচন করুন
পার্ট নম্বর IRFH9310TRPBF
প্রস্তুতকারক / ব্র্যান্ড ইন্টারন্যাশনাল রেকটিফায়ার (ইনফাইনন টেকনোলজিস)
স্টক পরিমাণ 12000 পিসি স্টক
বিভাগ বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য > ট্রানজিস্টর - FETs, MOSFETs - একক
বর্ণনা MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
লিড ফ্রি স্ট্যাটাস / RoHS স্ট্যাটাস: লিড ফ্রি / RoHS কমপ্লায়েন্ট
প্রস্থ - ভিতরে -55°C ~ 150°C (TJ)
ভোল্টেজ/কারেন্ট - আউটপুট 1 PQFN (5x6)
সহনশীলতা 5250pF @ 15V
টেইল টাইপ পি-চ্যানেল
ধাপ কোণ MOSFET (ধাতু অক্সাইড)
সঙ্কুচিত তাপমাত্রা ইনফাইনন প্রযুক্তি
SFP/XFP প্রকার ±20V
দূরবর্তী ক্ষমতা HEXFET®
পিচ - তারের সারফেস মাউন্ট
অন্যান্য নাম সীসা বিনামূল্যে / RoHS অনুগত
অন্যান্য নাম 1
অসিলেটর টাইপ 8-পাওয়ারভিডিএফএন
DAC এর 30V সংখ্যা
ন্যূনতম তরল নির্দিষ্ট মাধ্যাকর্ষণ -
মেটিং ওরিয়েন্টেশন 4.6 mOhm @ 21A, 10V
প্রস্তুতকারকের পার্ট নম্বর IRFH9310TRPBFDKR-ND
দৈর্ঘ্য - ব্যারেল ডিজি-রিল®
বাতির রঙ 4.5V, 10V
হাই সাইড ভোল্টেজ - সর্বোচ্চ (বুটস্ট্র্যাপ) 21A (Ta), 40A (Tc)
ফাংশন 58nC @ 4.5V
কয়েল পাওয়ার সক্রিয়
চ্যানেল ক্যাপাসিট্যান্স (CS(বন্ধ), CD(বন্ধ)) 3.1W (Ta)
কার্ড রিডার টাইপ 2.4V @ 100µA
বৈশিষ্ট্য এবং উপকারিতা
বৈশিষ্ট্য ফলাফল সুবিধা
নিম্ন RDSon (≤ 4.6mΩ) নিম্ন পরিবাহী ক্ষতি
ইন্ডাস্ট্রি-স্ট্যান্ডার্ড PQFN প্যাকেজ মাল্টি-ভেন্ডর সামঞ্জস্য
RoHS কমপ্লায়েন্ট যাতে কোন সীসা নেই, কোন ব্রোমাইড নেই এবং হ্যালোজেন নেই পরিবেশগতভাবে বন্ধুত্বপূর্ণ
ফলাফল স্বরূপ
বিঃদ্রঃ
ফর্ম পরিমাণ
IRFH9310TRPBF PQFN 5mm x 6mm টেপ এবং রিল 4000
অর্ডারযোগ্য অংশ নম্বর প্যাকেজ টাইপ স্ট্যান্ডার্ড প্যাক
VDS -30 V
RDS(চালু) সর্বোচ্চ
(@VGS = 10V) 4.6 mΩ
Qg (সাধারণ) 110 nC
আরজি (সাধারণত) 2.8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
পরম সর্বোচ্চ রেটিং
প্যারামিটার ইউনিট
ভিডিএস ড্রেন-টু-সোর্স ভোল্টেজ
ভিজিএস গেট-টু-সোর্স ভোল্টেজ
ID @ TA = 25°C ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট, VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট, VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট, VGS @ -10V (সিলিকন লিমিটেড)
ID @ TC = 70°C ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট, VGS @ -10V (সিলিকন লিমিটেড)
ID @ TC = 25°C ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট, VGS @ -10V (প্যাকেজ লিমিটেড)
IDM স্পন্দিত ড্রেন কারেন্ট
PD @TA = 25°C শক্তি অপচয়
PD @ TA = 70°C শক্তি অপচয়
লিনিয়ার ডিরেটিং ফ্যাক্টর W/°C
টিজে অপারেটিং জংশন এবং
TSTG স্টোরেজ তাপমাত্রা পরিসীমা
পুনরাবৃত্তিমূলক রেটিং;নাড়ি প্রস্থ সর্বোচ্চ দ্বারা সীমিত.সন্ধি তাপমাত্রা.
শুরু হচ্ছে TJ = 25°C, L = 1.1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A।
পালস প্রস্থ ≤ 400µs;শুল্ক চক্র ≤ 2%।
1 ইঞ্চি বর্গাকার কপার বোর্ডে বসানো হলে।
Rθ প্রায় 90°C এর TJ এ পরিমাপ করা হয়।
শুধুমাত্র ডিজাইন এইডের জন্য, উৎপাদন পরীক্ষার বিষয় নয়।